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长期从事低维半导体与光电器件研究，管理包括半导体发光量子点与显示技术，二维半导体与集成电路技术，吸波材料与隐身技术。该工作的提出有望推动高质量锑烯在能源、信息电子领域的应用。本工作报道了一种一锅法生长长径比超过105的单晶CsPbBr3钙钛矿线的方法，化建产率高达70%。

本工作将老化器件的上层电极层和传输层处理掉，设存对裸露的钙钛矿发光层进行了测试，设存发现器件中离子迁移带来的Br和Cs的不均匀分布，Br-的情况则更为严重，这是因为钙钛矿中Br-的活化能更低更易发生迁移。最后，问题高质量的锑烯经HCl简单处理后，使得Na+沿基面扩散，从而表现出良好的电容去离子性能，在超低NaCl浓度(135mgL-1)下，其吸附盐量为31.4mgg-1。

►研究工作11：电网加压合金化方法合成高质量锑烯 (Adv.Funct.Mater.,2021,2102766)单质锑烯作为二维材料家族中的新成员，电网近年来引起了人们的极大关注，但较高的化学活性和较窄的层间通道已经影响了将其从块体材料剥离出来的产物质量。

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2001-2008年在美国Nanosys高科技公司工作、化建是该公司的联合创始人之一，化建历任联合技术顾问、先进技术科学家、先进技术高级科学家、先进技术部经理和首席科学家。设存2005年入选中国科学院百人计划。